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技術成果
重點項目介紹
天津市2007年二十項重大工業項目之一 6英寸0.35微米功率半導體器件生產線該項目是天津市二十大重點工業項目,生產線具備完善MOSFET/SBD/IGBT/FRED/TVS等加工工藝,可進行功率集成電路的生產、制造,成為國內最先進的功率生產線之一。擁有6英寸0.35微米功率器件,主要產品為功率集成電路和VDMOS、Trench MOS、SBD、FRD、IGBT等系列功率分立器件。

該條生產線具備研發IGBT及對IGBT用區熔硅材料驗證的能力。公司具有多年從事半導體功率器件研發和生產的經驗,擁有半導體功率器件從芯片制造到產品封裝的全套技術。目前公司已成功實現6英寸IGBT用區熔硅單晶材料的產業化技術,并成功研制出1200V Trench IGBT。
天津市2008年二十項重大工業項目之一 天津市2008年二十項重大工業項目之一 該項目建成了Φ4-Φ6〞大直徑區熔硅單晶及拋光片生產線,完成了Φ4-Φ6〞區熔硅單晶拋光片的腐蝕、背損傷、背封、拋光等核心技術的開發,實現了高質量的大直徑區熔硅拋光片產品的產業化,核心技術達到國內領先水平。

相關產品廣泛應用在國家重點大型水利工程、國家電網工程高速軌道交通、電動汽車及混合動力汽車、綠色節能產業,對節能、綠色、環保等領域具有極其重要的戰略意義。
呼和浩特市2009年重點工業項目之一 綠色可再生能源太陽能電池用硅單晶材料產業化項目該項目中的高效太陽能電池用硅單晶、高拉速單晶生長技術、多次加料晶體生長技術及鉆石線切割技術等關鍵技術屬國內首創。同時完成了面向太陽能電池N型晶體制備及DW超薄高效太陽能硅片加工等關鍵技術的研發及產業化,為產品在市場上的差異化、產銷規模的領先地位及企業的發展奠定了堅實的基礎。
國家科技重大專項《極大規模集成電路制造裝備及成套工藝》---02專項《區熔硅單晶片產業化技術與國產設備研制》項目該項目面向高壓大功率IGBT芯片產品制造需求,研究開發直徑Φ6~Φ8〞區熔硅單晶片產業化技術,滿足1200V-6500V IGBT芯片產業化對區熔硅單晶的需求。2011年拉出我國第一顆區熔硅單晶,打破了國外企業對Φ8〞區熔硅單晶的技術壟斷;2013年在國產區熔設備上拉制出我國首顆國產設備Φ8〞區熔硅單晶,產品達到國際先進水平,不僅滿足了國內日益增長的IGBT市場需求,為構建國內區熔硅材料產業聯盟、合力解決國內區熔產業存在的多項重大技術問題貢獻了不可或缺的力量。
8英寸硅拋光片的研發及產業化該項目是公司引進二氧化硅背封機、邊緣拋光機、單面拋光系統、硅片分選儀等工藝檢測設備,應用新技術,新工藝獨立開發具有自主知識產權的8英寸節能型功率器件用、大規模集成電路用硅拋光片生產技術,在消費電子、工業控制、新能源、智能電網、軌道交通、大型工業設施等電力電子產業領域進行應用。促進了國內節能型功率器件、新型電力電子器件等產業的發展,實現高端材料的規模化生產,滿足國際市場對高端區熔硅片日益增長的需求。
CFZ區熔單晶硅及金剛石線切片項目該項目主要采用自主研發的直拉區熔法(CFZ)制備高純高效單晶硅棒技術。通過CFZ法大幅度降低了區熔中子輻照單晶和區熔氣摻單晶的成本,其產品可以廣泛用于現有區熔中、低阻值半導體市場,同時因其品質優勢和低成本特點可以對現有直拉IC級市場進行產業延伸;在太陽能應用領域,因其產品具有低氧碳含量、高純度、高壽命、抗輻射的特點,提高了太陽能電池用單晶硅的光電轉換效率,可以達到24%-26%。
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